| IPG20N06S4L14ATMA1 | |
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| Modelo do Produto | IPG20N06S4L14ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantidade Disponível | 10500 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPG20N06S4L14ATMA1.pdf2.IPG20N06S4L14ATMA1.pdf3.IPG20N06S4L14ATMA1.pdf |
| IPG20N06S4L14ATMA1 Price |
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| Informações técnicas da IPG20N06S4L14ATMA1 | |||
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| Número de peça do fabricante | IPG20N06S4L14ATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Pacote / Caso | PG-TDSON-8-4 | Quantidade Disponível | 10500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TDSON-8-4 | Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 13.7mOhm @ 17A, 10V | Power - Max | 50W |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN | Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Característica FET | Logic Level Gate | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuração | 2 N-Channel (Dual) |
| Número do produto base | IPG20N | ||
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