IPG20N06S2L65ATMA1
Modelo do Produto IPG20N06S2L65ATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Quantidade Disponível 27186 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Informações técnicas da IPG20N06S2L65ATMA1
Número de peça do fabricante IPG20N06S2L65ATMA1 Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrição MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Pacote / Caso PG-TDSON-8-4 Quantidade Disponível 27186 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 14µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TDSON-8-4 Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 65mOhm @ 15A, 10V Power - Max 43W
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN Pacote Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Característica FET Logic Level Gate Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 20A Configuração 2 N-Channel (Dual)
Número do produto base IPG20N  
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