| IPG20N10S4L35ATMA1 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantidade Disponível | 4000 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L35ATMA1 Price |
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| Informações técnicas da IPG20N10S4L35ATMA1 | |||
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| Número de peça do fabricante | IPG20N10S4L35ATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Pacote / Caso | PG-TDSON-8-4 | Quantidade Disponível | 4000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TDSON-8-4 | Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 35mOhm @ 17A, 10V | Power - Max | 43W |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN | Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Característica FET | Logic Level Gate | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuração | 2 N-Channel (Dual) |
| Número do produto base | IPG20N | ||
| Download | IPG20N10S4L35ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
IPG20N10S4L35ATMA1
Introdução
MOSFET N-Channel de alto desempenho
Marca e Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Características
MOSFET de nível lógico, Configuração dupla N-Channel, Alta eficiência e densidade de potência, Qualificado AEC-Q101 para aplicações automotivas, Otimizado para comutação rápida
Desempenho do Produto
Excelente desempenho térmico, Óxido de porta robusto para alta confiabilidade, Alta corrente de dreno contínua de 20A
Especificações Técnicas
Tensão de dreno para fonte (Vdss) de 100V, Rds On de 35 mOhm a 17A, 10V, Carga de porta (Qg) de 17,4nC a 10V, Capacitância de entrada (Ciss) de 1105pF a 25V
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote 8-PowerVDFN (PG-TDSON-8-4), Tecnologia de montagem em superfície, Embalagem Tape & Reel (TR) para montagem automatizada
Qualidade e Confiabilidade
Sem chumbo e conforme a norma RoHS para sustentabilidade ambiental, Certificado com o Padrão AEC-Q101 para eletrônicos automotivos, Projetado para confiabilidade a longo prazo em condições adversas
Vantagens do Produto
Alta densidade de potência que permite designs compactos, Eficiência aprimorada reduzindo perdas de energia, Adequado para fontes de acionamento de nível lógico
Competitividade do Produto
Rds On competitivo e corrente de dreno em sua classe, Bem adequado para aplicações automotivas e industriais, Forte suporte global da Infineon Technologies
Compatibilidade
Compatível com uma ampla gama de tensões de acionamento de porta, Adequado para várias aplicações de interruptores de alta e baixa side
Certificação e Conformidade com Normas
Em conformidade com AEC-Q101 para requisitos de confiabilidade automotiva, Totalmente em conformidade com RoHS para padrões ambientais
Duração e Sustentabilidade
Projetado para suportar temperaturas extremas variando de -55°C a 175°C, Construído para operação e vida útil prolongadas em ambientes exigentes
Áreas de Aplicação
Sistemas automotivos, Gestão de energia industrial, Fontes de alimentação e conversores, Circuitos de controle de motor
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