| IPG20N06S4L26AATMA1 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Quantidade Disponível | 2500 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf2.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf3.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf4.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
| IPG20N06S4L26AATMA1 Price |
Solicitar preço e tempo de entrega online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informações técnicas da IPG20N06S4L26AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | IPG20N06S4L26AATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Pacote / Caso | PG-TDSON-8-10 | Quantidade Disponível | 2500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TDSON-8-10 | Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 26mOhm @ 17A, 10V | Power - Max | 33W |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN | Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Característica FET | Logic Level Gate | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuração | 2 N-Channel (Dual) |
| Número do produto base | IPG20N | ||
| Download | IPG20N06S4L26AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
IPG20N06S4L26AATMA1
Introdução
Transistor MOSFET de canal N duplo de alto desempenho para aplicações automotivas.
Marca e Fabricante
Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)
Características
Transistor MOSFET de canal N duplo com nível lógico de porta. Alta capacidade de manejo de potência. Otimizado para aplicações automotivas. Embalagem de alta densidade de potência. Qualificado segundo AEC-Q101 para confiabilidade automotiva.
Desempenho do Produto
Excelente desempenho térmico. Robusto contra transientes rápidos. Baixa resistência on Rds(on). Alta capacidade de condução de corrente.
Especificações Técnicas
Vdss: 60V. Id: 20A contínuo a 25°C. Rds On: 26 mOhm a 17A, 10V. Vgs(th): 2.2V a 10A. Qg: 20nC a 10V. Ciss: 1430pF a 25V.
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote PG-TDSON-8-10. Montagem em superfície. Fita e bobina (TR) para montagem automatizada.
Qualidade e Confiabilidade
Conformidade com os padrões AEC-Q101. Livre de chumbo e conforme RoHS. Operação em alta temperatura de até 175°C.
Vantagens do Produto
Perdas de condução baixas. Perdas de comutação reduzidas. Alta capacidade de frequência de comutação.
Competitividade do Produto
Competitivo na indústria automotiva pela alta confiabilidade. Adequado para condições ambientais severas.
Compatibilidade
Compatível com processos padrão de montagem em superfície. Compatível com acionamento de porta em nível lógico.
Certificação e Conformidade com Normas
Qualificado AEC-Q101. Conforme RoHS.
Duração e Sustentabilidade
Classificado para vida útil operacional prolongada em condições automotivas. Projetado para desempenho eficiente em termos energéticos.
Áreas de Aplicação
Sistemas automotivos, incluindo controle de transmissão e chassi. Unidades de fonte de alimentação de alta eficiência. Sistemas de gerenciamento de energia. Aplicações industriais que exigem MOSFETs de alta densidade de potência e confiabilidade.
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IPG20N06S4L26AATMA1 Online.
| Ações IPG20N06S4L26AATMA1 | Preço IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 Electronics |
| Componentes IPG20N06S4L26AATMA1 | Inventário IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 Digikey |
| Fornecedor IPG20N06S4L26AATMA1 | Ordem IPG20N06S4L26AATMA1 Online | Inquérito IPG20N06S4L26AATMA1 |
| Imagem IPG20N06S4L26AATMA1 | Imagem IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 PDF |
| Folha de dados IPG20N06S4L26AATMA1 | Download da folha de dados IPG20N06S4L26AATMA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
