| IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPG20N10S4L22ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantidade Disponível | 2956 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf5.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L22ATMA1 Price |
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| Informações técnicas da IPG20N10S4L22ATMA1 | |||
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| Número de peça do fabricante | IPG20N10S4L22ATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Pacote / Caso | PG-TDSON-8-4 | Quantidade Disponível | 2956 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TDSON-8-4 | Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 22mOhm @ 17A, 10V | Power - Max | 60W |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN | Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Característica FET | Logic Level Gate | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A | Configuração | 2 N-Channel (Dual) |
| Número do produto base | IPG20N | ||
| Download | IPG20N10S4L22ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
IPG20N10S4L22ATMA1
Introdução
MOSFET N-Channel de Nível Lógico
Marca e Fabricante
Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)
Características
MOSFET Dual N-Channel, Nível Lógico, AEC-Q101 Qualificado, Projetado para Aplicações Automotivas, Tecnologia OptiMOS para Alta Eficiência
Desempenho do Produto
Alta Capacidade de Corrente - 20A de Drenagem Contínua, Baixa Resistência em Estado Ligado - 22 mOhm, Capacidade de Potência Aprimorada - 60W máximo, Desempenho Térmico Robusto - Temperatura de Operação de -55°C a 175°C
Especificações Técnicas
Tensão de Drenagem a Fonte (Vdss) - 100V, Tensão de Limite de Porta-Fonte (Vgs(th)) - 2.1V @ 25µA, Carga de Porta (Qg) - 27nC, Capacitância de Entrada (Ciss) - 1755pF
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote de Montagem em Superfície PG-TDSON-8-4, Embalagem do Fabricante - PG-TDSON-8-4, Embalagem - Fita e Bobina (TR)
Qualidade e Confiabilidade
Compatível com RoHS, Sem Chumbo, Projetado para Padrões Automotivos Rigorosos
Vantagens do Produto
Densidade de Potência Aprimorada, Menores Perdas de Condução, Redução das Perdas de Comutação, Configuração de Alta e Baixa Lado
Competitividade do Produto
Resistência em Estado Ligado Competitiva, Alta Eficiência para Aplicações de Conversão de Potência, Adequado para Ambientes com Restrições de Alta Temperatura
Compatibilidade
Adequado para Técnicas Comuns de Montagem em Superfície, Porta de Nível Lógico Compatível com Tensão de Acionamento Padrão
Certificação e Conformidade com Normas
Certificado AEC-Q101 para Confiabilidade Automotiva, Compatível com RoHS para Proteção Ambiental
Duração e Sustentabilidade
Projetado para Durabilidade em Ambientes Hostis, Otimizado para Redução do Consumo de Energia e Geração de Calor
Áreas de Aplicação
Eletrônica Automotiva, Gerenciamento de Energia, Conversores DC-DC, Acionamentos de Motor, Sistemas de Gerenciamento de Bateria
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