| CY7C1312KV18-300BZC | |
|---|---|
| Modelo do Produto | CY7C1312KV18-300BZC |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| Quantidade Disponível | 2826 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.CY7C1312KV18-300BZC.pdf2.CY7C1312KV18-300BZC.pdf3.CY7C1312KV18-300BZC.pdf4.CY7C1312KV18-300BZC.pdf5.CY7C1312KV18-300BZC.pdf6.CY7C1312KV18-300BZC.pdf |
| CY7C1312KV18-300BZC Price |
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| Informações técnicas da CY7C1312KV18-300BZC | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | CY7C1312KV18-300BZC | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
| Fabricante | Cypress Semiconductor | Descrição | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| Pacote / Caso | 165-FBGA (13x15) | Quantidade Disponível | 2826 pcs |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | - | Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II | Embalagem do dispositivo fornecedor | 165-FBGA (13x15) |
| Série | - | Caixa / Gabinete | 165-LBGA |
| Pacote | Tray | Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Tipo de memória | Volatile |
| Tamanho da memória | 18Mbit | Organização de memória | 1M x 18 |
| Interface de memória | Parallel | Formato de memória | SRAM |
| Freqüência de relógio | 300 MHz | Número do produto base | CY7C1312 |
| Download | CY7C1312KV18-300BZC PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
CY7C1312KV18-300BZC
Introdução
SRAM síncrono de alta velocidade com taxa de dados quad II.
Marca e Fabricante
Infineon Technologies
Características
Memória volátil; operação síncrona; tecnologia Quad Data Rate II (QDR II); capacidade de armazenamento de 18 Mbit; interface de memória paralela; suporta uma frequência de clock de até 300 MHz.
Desempenho do Produto
Tempos de acesso rápido a dados; suporte para aplicações de alta frequência; armazenamento de dados estável e confiável.
Especificações Técnicas
Organização de memória 1M x 18; tensão de alimentação entre 1,7V e 1,9V; faixa de temperatura operacional de 0°C a 70°C; tipo de memória SRAM.
Dimensões, Forma e Embalagem
Montagem em superfície 165-LBGA; embalado em bandeja; dimensões do pacote 165-FBGA (13x15).
Qualidade e Confiabilidade
Tecnologia comprovada da Infineon Technologies; status Last Time Buy indicando maturidade do produto.
Vantagens do Produto
Projetado para aplicações síncronas de alta velocidade; grande capacidade de memória para operações complexas.
Competitividade do Produto
Vantagem competitiva no mercado de SRAM síncrono; adequado para computação de alto desempenho e redes.
Compatibilidade
Interface de memória paralela para uso generalizado; pode interagir com várias famílias lógicas padrão devido ao amplo suporte de tensão.
Certificação e Conformidade com Normas
Conformidade com especificações padrão da indústria para circuitos integrados; adesão aos padrões de qualidade e eletrônicos da Infineon Technologies.
Duração e Sustentabilidade
Projetado para operação confiável a longo prazo dentro das condições especificadas.
Áreas de Aplicação
Redes; computação de alto desempenho; telecomunicações; aplicações industriais.
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| Ações CY7C1312KV18-300BZC | Preço CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC Electronics |
| Componentes CY7C1312KV18-300BZC | Inventário CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC Digikey |
| Fornecedor CY7C1312KV18-300BZC | Ordem CY7C1312KV18-300BZC Online | Inquérito CY7C1312KV18-300BZC |
| Imagem CY7C1312KV18-300BZC | Imagem CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC PDF |
| Folha de dados CY7C1312KV18-300BZC | Download da folha de dados CY7C1312KV18-300BZC | Fabricante Cypress Semiconductor |
