CY7C1312CV18-167BZI | |
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Modelo do Produto | CY7C1312CV18-167BZI |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
Quantidade Disponível | 4242 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.CY7C1312CV18-167BZI.pdf2.CY7C1312CV18-167BZI.pdf3.CY7C1312CV18-167BZI.pdf |
CY7C1312CV18-167BZI Price |
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Informações técnicas da CY7C1312CV18-167BZI | |||
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Número de peça do fabricante | CY7C1312CV18-167BZI | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
Fabricante | Cypress Semiconductor | Descrição | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
Pacote / Caso | 165-FBGA (13x15) | Quantidade Disponível | 4242 pcs |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | - | Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II | Embalagem do dispositivo fornecedor | 165-FBGA (13x15) |
Série | - | Caixa / Gabinete | 165-LBGA |
Pacote | Tray | Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Tipo de memória | Volatile |
Tamanho da memória | 18Mbit | Organização de memória | 1M x 18 |
Interface de memória | Parallel | Formato de memória | SRAM |
Freqüência de relógio | 167 MHz | Número do produto base | CY7C1312 |
Download | CY7C1312CV18-167BZI PDF - EN.pdf |
CY7C1312CV18-167BZI
Memória Síncrona SRAM de Alta Velocidade projetada para aplicações de computação de alto desempenho.
Infineon Technologies
Tipo de memória volátil, Síncrona SRAM com tecnologia QDR II, Interface de memória paralela, Suporta altas frequências de clock para acesso rápido aos dados.
Tamanho da Memória: 18Mbit, Organização da Memória: 1M x 18, Frequência de Clock: 167 MHz, Alta confiabilidade e estabilidade em condições de temperatura extremas de -40°C a 85°C.
Tipo de Memória: SRAM - Síncrona, QDR II, Tensão de Alimentação: 1.7V ~ 1.9V, Temperatura de Operação: -40°C ~ 85°C.
Embalagem/Caixa: 165-LBGA, Embalagem do Dispositivo do Fornecedor: 165-FBGA (13x15), Embalagem tipo SMD.
Opera efetivamente em uma ampla faixa de temperaturas, projetado para durabilidade em ambientes robustos.
Capacidades de processamento de dados de alta velocidade, Consumo de energia eficiente dentro de uma faixa mínima de tensão de alimentação.
Superior em velocidade e eficiência em relação a módulos de memória similares, Adequado para tarefas de computação de alta demanda.
Compatível com sistemas que requerem memória volátil de alta velocidade e operação síncrona.
Cumpre especificações padrão da indústria para dispositivos de memória SRAM síncrona.
Projetado para estabilidade de desempenho de longo prazo em condições operacionais variáveis.
Utilizado em computação de alto desempenho, equipamentos de redes e telecomunicações.
Ações CY7C1312CV18-167BZI | Preço CY7C1312CV18-167BZI | CY7C1312CV18-167BZI Electronics |
Componentes CY7C1312CV18-167BZI | Inventário CY7C1312CV18-167BZI | CY7C1312CV18-167BZI Digikey |
Fornecedor CY7C1312CV18-167BZI | Ordem CY7C1312CV18-167BZI Online | Inquérito CY7C1312CV18-167BZI |
Imagem CY7C1312CV18-167BZI | Imagem CY7C1312CV18-167BZI | CY7C1312CV18-167BZI PDF |
Folha de dados CY7C1312CV18-167BZI | Download da folha de dados CY7C1312CV18-167BZI | Fabricante Cypress Semiconductor |