| SI7774DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SI7774DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Quantidade Disponível | 2640 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SI7774DP-T1-GE3.pdf2.SI7774DP-T1-GE3.pdf3.SI7774DP-T1-GE3.pdf |
| SI7774DP-T1-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SI7774DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SI7774DP-T1-GE3 | Categoria | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 | Quantidade Disponível | 2640 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
| Série | SkyFET®, TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3.8mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2630 pF @ 15 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Número do produto base | SI7774 | ||
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