SI7748DP-T1-GE3 | |
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Modelo do Produto | SI7748DP-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Quantidade Disponível | 45209 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.SI7748DP-T1-GE3.pdf2.SI7748DP-T1-GE3.pdf3.SI7748DP-T1-GE3.pdf |
SI7748DP-T1-GE3 Price |
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Informações técnicas da SI7748DP-T1-GE3 | |||
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Número de peça do fabricante | SI7748DP-T1-GE3 | Categoria | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 | Quantidade Disponível | 45209 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Série | SkyFET®, TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.8mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 4.8W (Ta), 56W (Tc) | Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 15 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Número do produto base | SI7748 | ||
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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SI7772DP-TI-GE3 | VISHAY | |||
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SI7758DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7738DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7758DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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