| SI7784DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SI7784DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrição | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
| Quantidade Disponível | 3421 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | |
| SI7784DP-T1-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SI7784DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SI7784DP-T1-GE3 | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrição | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
| Pacote / Caso | Digi-Reel® | Quantidade Disponível | 3421 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) | Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 | Outros nomes | SI7784DP-T1-GE3DKR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição detalhada | N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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