TP65H300G4LSG-TR
Modelo do Produto TP65H300G4LSG-TR
Fabricante Transphorm
Descrição GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Quantidade Disponível 6744 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da TP65H300G4LSG-TR
Número de peça do fabricante TP65H300G4LSG-TR Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante Transphorm Descrição GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Pacote / Caso 3-PQFN (8x8) Quantidade Disponível 6744 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA Vgs (Max) ±18V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Embalagem do dispositivo fornecedor 3-PQFN (8x8)
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 312mOhm @ 5A, 8V
Dissipação de energia (Max) 21W (Tc) Caixa / Gabinete 3-PowerDFN
Pacote Cut Tape (CT) Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 8V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Número do produto base TP65H300  
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