| TP65H015G5WS | |
|---|---|
| Modelo do Produto | TP65H015G5WS |
| Fabricante | Transphorm |
| Descrição | 650 V 95 A GAN FET |
| Quantidade Disponível | 263 pcs in stock |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | TP65H015G5WS.pdf |
| TP65H015G5WS Price |
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| Informações técnicas da TP65H015G5WS | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | TP65H015G5WS | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | Transphorm | Descrição | 650 V 95 A GAN FET |
| Pacote / Caso | TO-247-3 | Quantidade Disponível | 263 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 2mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 |
| Série | SuperGaN™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 18mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 266W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
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