| TP65H150LSG | |
|---|---|
| Modelo do Produto | TP65H150LSG |
| Fabricante | Transphorm |
| Descrição | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
| Quantidade Disponível | Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.TP65H150LSG.pdf2.TP65H150LSG.pdf3.TP65H150LSG.pdf |
| TP65H150LSG Price |
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| Informações técnicas da TP65H150LSG | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | TP65H150LSG | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | Transphorm | Descrição | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
| Pacote / Caso | 3-PQFN (8x8) | Quantidade Disponível | Available Stock |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Embalagem do dispositivo fornecedor | 3-PQFN (8x8) |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 69W (Tc) | Caixa / Gabinete | 3-PowerDFN |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 576 pF @ 400 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
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