SSM3J356R,LF
Modelo do Produto SSM3J356R,LF
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Quantidade Disponível 13000 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da SSM3J356R,LF
Número de peça do fabricante SSM3J356R,LF Categoria  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrição MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Pacote / Caso SOT-23F Quantidade Disponível 13000 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) +10V, -20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-23F
Série U-MOSVI RDS ON (Max) @ Id, VGS 300mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta) Caixa / Gabinete SOT-23-3 Flat Leads
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Número do produto base SSM3J356  
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Fornecedor SSM3J356R,LFOrdem SSM3J356R,LF Online Inquérito SSM3J356R,LF
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