Modelo do Produto

SSM3J338R

Introdução

MOSFET de potência para aplicações de comutação

Marca e Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

MOSFET de Canal N, Baixa Resistência de Encadeamento, Baixa Carga de Porta, Comutação de Alta Velocidade

Desempenho do Produto

Gerenciamento de Potência de Alta Eficiência, Operação Estável em Ampla Faixa de Temperatura

Especificações Técnicas

Classificações Máximas (VDSS, VGSS, ID, PD), RDS(ON), Carga de Porta (Qg), Capacitância de Entrada (Ciss)

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem de Contorno Pequeno (SOT-23), Montagem em Superfície, Perfil Leve e Fino

Qualidade e Confiabilidade

Qualidade Comprovada da Toshiba, Extensivamente Testado para Durabilidade, Longa Vida Útil Operacional com Degradação Mínima

Vantagens do Produto

Economia de Energia, Pequena Pegada no PCB, Fácil Integração em Diversos Circuitos

Competitividade do Produto

Preços Competitivos, Desempenho Superior em sua Categoria, Amplamente Aceito na Indústria

Compatibilidade

Adequado para uma Ampla Gama de Aplicações de Potência, Compatível com Circuitos de Controle Comumente Usados

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme com Certificações de Padrão Industrial, Conforme com a Diretiva RoHS, Atende aos Padrões Internacionais de Segurança

Duração e Sustentabilidade

Confiabilidade a Longo Prazo, Projetado para Uso Sustentável, Atende aos Padrões Ecológicos

Áreas de Aplicação

Sistemas de Gerenciamento de Potência, Carregadores de Bateria, Conversores DC/DC, Controles de Motor, Eletrônicos de Consumo

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