Modelo do Produto

SSM3J338RLF

Introdução

Transistor MOSFET de Potência de Estado Sólido

Marca e Fabricante

Toshiba Semicondutores e Armazenamento

Características

Baixa resistência on do dreno-fonte, alta admitância de transferência direta, baixo consumo de corrente em fuga, velocidade de comutação aprimorada, pequeno pacote de montagem superficial

Desempenho do Produto

Capacidades de montagem de alta densidade, baixo consumo de energia, desempenho térmico aprimorado

Especificações Técnicas

Tensão dreno-fonte (Vdss): 30V, corrente contínua do dreno (Id): 6A, dissipaçãp de potência (Pd): 1,5W, tensão de limiar do gate (Vgs(th))

Dimensões, Forma e Embalagem

Largura: 2,8 mm, Altura: 0,8 mm, Profundidade: 2,9 mm, Pacote: SOT-23F

Qualidade e Confiabilidade

Construção robusta, estabilidade de desempenho a longo prazo, sujeita a rigorosos controles de qualidade

Vantagens do Produto

Adequado para comutação em alta velocidade, operação energeticamente eficiente, fator de forma compacto para aplicações sensíveis ao espaço

Competitividade do Produto

Alta capacidade de corrente em um pequeno pacote, preços competitivos em sua categoria

Compatibilidade

Compatível com equipamentos de tecnologia de montagem superficial padrão

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões internacionais aplicáveis de segurança e meio ambiente

Duração e Sustentabilidade

Projetado para operação de longa duração, compatível com RoHS para sustentabilidade ambiental

Áreas de Aplicação

Gerenciamento de potência em dispositivos portáteis, conversores DC/DC, circuitos de controle de motores, chaveamento de carga

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