Modelo do Produto

SSM3J328R.LF

Introdução

Transistor de Efeito de Campo de Silício P-Channel do tipo Efeito de Campo

Marca e Fabricante

Toshiba Semicondutores e Armazenamento

Características

Baixa resistência on-state do dreno-fonte, comutação de alta velocidade, pequeno encapsulamento para montagem em superfície, montagem de alta densidade

Desempenho do Produto

Baixa tensão de saturação, menor consumo de energia, excelente linearidade

Especificações Técnicas

MOSFET P-Channel, Tensão Dreno-Fonte (Vdss): -30V, Corrente Contínua de Dreno (Id): -6A, Dissipação de Potência (Pd): 1.5W, RDS(on) Máx @ Id, Vgs: 45 mOhms @ -4.5A, -10V

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem SOT-23F, Compacta e leve

Qualidade e Confiabilidade

Qualidade comprovada da Toshiba, alta confiabilidade

Vantagens do Produto

Econômica em termos de energia, design que economiza espaço, desempenho térmico superior

Competitividade do Produto

Preços competitivos, aplicável em uma ampla gama de circuitos

Compatibilidade

Compatível com outros MOSFETs P-Channel em embalagens semelhantes

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme RoHS, cumpre padrões da indústria para qualidade e segurança

Duração e Sustentabilidade

Durável com longa vida operacional, materiais ambientalmente amigáveis

Áreas de Aplicação

Aplicações em gestão de potência, interruptores de carga, sistemas de gestão de bateria, circuitos conversores

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