SSM3J325FLF
Modelo do Produto SSM3J325FLF
Fabricante TOSHIBA
Descrição TOSHIBA SOT-23
Quantidade Disponível 2381 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da SSM3J325FLF
Número de peça do fabricante SSM3J325FLF Categoria Circuitos integrados (ICs)
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrição TOSHIBA SOT-23
Pacote / Caso SOT-23 Quantidade Disponível 2381 pcs
Condtion New Original Stock garantia 100% Perfect Functions
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Envio por DHL / Fedex / UPS Porta HongKong
E-mail de RFQ   

Modelo do Produto

SSM3J325FLF

Introdução

MOSFET P-CH 30V 6A SOT-23F

Marca e Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Modo de aprimoramento P-Channel, baixa resistência de dreno-fonte em estado ligado, comutação de alta velocidade, circuitos de acionamento simples, montagem de alta densidade suportada

Desempenho do Produto

Corrente de dreno contínua: 6A, Corrente de dreno pulsada: 12A, Corrente de vazamento baixa, Apropriado para gerenciamento de energia em dispositivos portáteis

Especificações Técnicas

Tensão de dreno-fonte: 30V, Tensão de porta-fonte: ±20V, Capacitância de entrada: 270pF, Capacitância de saída: 100pF

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem de montagem em superfície SOT-23F, Comprimento: 2.8mm, Largura: 2.9mm, Altura: 0.8mm, Embalado em bobinas para montagem automatizada

Qualidade e Confiabilidade

Qualidade e confiabilidade comprovadas da Toshiba, Qualificado AEC-Q101 para aplicações automotivas

Vantagens do Produto

Alta capacidade de corrente para o seu tamanho, Operação de baixa tensão adequada para aplicações a bateria, Alta eficiência para prolongar a vida útil da bateria

Competitividade do Produto

Competitivo no mercado de MOSFET P-Channel de pequeno sinal, Oferece economia de espaço devido ao fator de forma compacto

Compatibilidade

Compatível com a matriz padrão SOT-23F, Integração fácil em várias configurações de circuitos

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme RoHS, Conforme REACH

Duração e Sustentabilidade

Durável sob alta frequência de comutação, Estabilidade de longo prazo no desempenho

Áreas de Aplicação

Gerenciamento de energia para eletrônicos portáteis, Interruptores de carga, Circuitos de proteção de bateria, Células de bomba de carga, Amplificadores de potência

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