Modelo do Produto

SSM3J331R

Introdução

MOSFET de potência, P-Channel

Marca e Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Modo de potenciação P-Channel, comutação de alta velocidade, baixa resistência em condução, baixa carga de porta, adequado para montagem de alta densidade

Desempenho do Produto

Tensão de condução de 2.5V, baixa carga de saída, controle de alto corrente

Especificações Técnicas

V_DS = -30 V, I_D = -6 A, R_DS(ON) = 52 mΩ (típico) a V_GS = -4.5 V, R_DS(ON) = 68 mΩ (típico) a V_GS = -2.5 V, Dissipação de potência: 1.5 W

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote muito pequeno e fino, pacote SOT-23F, embalagem em bobina para montagem automatizada

Qualidade e Confiabilidade

Alta confiabilidade, resistência à comutação repetida

Vantagens do Produto

Componente de economia de energia, contribui para menor consumo de energia

Competitividade do Produto

Preços competitivos na categoria de MOSFET P-Channel, atende à necessidade de maior eficiência no gerenciamento de energia

Compatibilidade

Compatível com muitas aplicações padrão de níveis lógicos

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme RoHS, livre de halogênio

Duração e Sustentabilidade

Projetado para operação de longo prazo, contribui para designs energeticamente eficientes

Áreas de Aplicação

Aplicações de gerenciamento de energia, interruptor de carga, interruptor de bateria, conversores DC/DC, circuitos de alimentação

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