| TRS16N65FB,S1F(S | |
|---|---|
| Modelo do Produto | TRS16N65FB,S1F(S |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | DODE SCHOTTKY 650V TO247 |
| Quantidade Disponível | Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | |
| TRS16N65FB,S1F(S Price |
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| Informações técnicas da TRS16N65FB,S1F(S | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | TRS16N65FB,S1F(S | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrição | DODE SCHOTTKY 650V TO247 |
| Pacote / Caso | TO-247 | Quantidade Disponível | Available Stock |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.7 V @ 8 A | Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 650 V |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247 |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) | Série | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 0 ns | Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de Operação - Junção | 175°C (Max) |
| Tipo de montagem | Through Hole | configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 90 µA @ 650 V | Atual - rectificada média (Io) (por Diode) | 8A (DC) |
| Número do produto base | TRS16N65 |
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| Ações TRS16N65FB,S1F(S | Preço TRS16N65FB,S1F(S | TRS16N65FB,S1F(S Electronics | |||
| Componentes TRS16N65FB,S1F(S | Inventário TRS16N65FB,S1F(S | TRS16N65FB,S1F(S Digikey | |||
| Fornecedor TRS16N65FB,S1F(S | Ordem TRS16N65FB,S1F(S Online | Inquérito TRS16N65FB,S1F(S | |||
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