TRS12E65F,S1Q
Modelo do Produto TRS12E65F,S1Q
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Quantidade Disponível 3 pcs in stock
Modelo ECAD
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Informações técnicas da TRS12E65F,S1Q
Número de peça do fabricante TRS12E65F,S1Q Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrição DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Pacote / Caso TO-220-2L Quantidade Disponível 3 pcs
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.7 V @ 12 A Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 650 V
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220-2L
Velocidade No Recovery Time > 500mA (Io) Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 0 ns Caixa / Gabinete TO-220-2
Pacote Tube Temperatura de Operação - Junção 175°C (Max)
Tipo de montagem Through Hole Atual - dispersão reversa @ Vr 90 µA @ 650 V
Atual - rectificada média (Io) 12A Capacitância @ Vr, F 65pF @ 650V, 1MHz
Número do produto base TRS12E65  
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Ações TRS12E65F,S1QPreço TRS12E65F,S1QTRS12E65F,S1Q Electronics
Componentes TRS12E65F,S1QInventário TRS12E65F,S1QTRS12E65F,S1Q Digikey
Fornecedor TRS12E65F,S1QOrdem TRS12E65F,S1Q Online Inquérito TRS12E65F,S1Q
Imagem TRS12E65F,S1QImagem TRS12E65F,S1QTRS12E65F,S1Q PDF
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