SSM3J168F,LXHF | |
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Modelo do Produto | SSM3J168F,LXHF |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
Quantidade Disponível | 1173 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | SSM3J168F,LXHF.pdf |
SSM3J168F,LXHF Price |
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Informações técnicas da SSM3J168F,LXHF | |||
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Número de peça do fabricante | SSM3J168F,LXHF | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrição | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
Pacote / Caso | S-Mini | Quantidade Disponível | 1173 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | S-Mini |
Série | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 600mW (Ta) | Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Ações SSM3J168F,LXHF | Preço SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Electronics | |||
Componentes SSM3J168F,LXHF | Inventário SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Digikey | |||
Fornecedor SSM3J168F,LXHF | Ordem SSM3J168F,LXHF Online | Inquérito SSM3J168F,LXHF | |||
Imagem SSM3J168F,LXHF | Imagem SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF PDF | |||
Folha de dados SSM3J168F,LXHF | Download da folha de dados SSM3J168F,LXHF | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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