SSM3J168F,LXHF
Modelo do Produto SSM3J168F,LXHF
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Quantidade Disponível 1173 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da SSM3J168F,LXHF
Número de peça do fabricante SSM3J168F,LXHF Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrição SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Pacote / Caso S-Mini Quantidade Disponível 1173 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) +10V, -20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor S-Mini
Série Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 600mW (Ta) Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de operação 150°C
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 82 pF @ 10 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta)
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