| SSM3J168F,LF | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SSM3J168F,LF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Quantidade Disponível | 2519 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | SSM3J168F,LF.pdf |
| SSM3J168F,LF Price |
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| Informações técnicas da SSM3J168F,LF | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SSM3J168F,LF | Categoria | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrição | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Pacote / Caso | SOT-23-3 | Quantidade Disponível | 2519 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-3 |
| Série | U-MOSVI | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.2W (Ta) | Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
| Número do produto base | SSM3J168 | ||
| Download | SSM3J168F,LF PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
SSM3J168F,LF
Introdução
MOSFET de Canal P projetado para gerenciamento de potência e comutação
Marca e Fabricante
Toshiba Semiconductor e Storage
Características
Canal P, 60V, 400mA, baixa resistência em condução, comutação de alta velocidade, baixa tensão de acionamento
Desempenho do Produto
Dissipação de potência de 1.2W, alta confiabilidade sob comutação de alta velocidade, baixa carga de porta para operação eficiente
Especificações Técnicas
Tensão de dreno-fonte de 60V (Vds), corrente de dreno de 400mA (Id), resistência em condução estática de dreno-fonte de 1.9 Ohm (Rds(on)) a 100mA, 4.5V, carga de porta de 82pF (Qg) a 10V, carga total de porta de 3nC (Qg), tensão de limiar de gate-fonte de 2V (Vgs(th)) a 1mA, tensão máxima de gate-fonte direta de 20V (Vgs), máxima tensão de gate-fonte reversa de -16V (Vgs)
Dimensões, Forma e Embalagem
Embalagem TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, fornecido em fita e carretel (TR) para montagem automatizada, nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1
Qualidade e Confiabilidade
Livre de chumbo e compatível com RoHS, alta resistência à umidade
Vantagens do Produto
Desempenho térmico aprimorado para tamanho, adequado para aplicações de acionamento em baixa tensão
Competitividade do Produto
Capacidades de comutação de alta velocidade, operação energeticamente eficiente
Compatibilidade
Compatível com tecnologia de montagem em superfície (SMT)
Certificação e Conformidade com Normas
Livre de chumbo / compatível com RoHS
Duração e Sustentabilidade
Projetado para confiabilidade a longo prazo, materiais e produção ambientalmente amigáveis
Áreas de Aplicação
Sistemas de gerenciamento de potência, aplicações de comutação, dispositivos portáteis, fontes de alimentação
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| Ações SSM3J168F,LF | Preço SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF Electronics | |||
| Componentes SSM3J168F,LF | Inventário SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF Digikey | |||
| Fornecedor SSM3J168F,LF | Ordem SSM3J168F,LF Online | Inquérito SSM3J168F,LF | |||
| Imagem SSM3J168F,LF | Imagem SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF PDF | |||
| Folha de dados SSM3J168F,LF | Download da folha de dados SSM3J168F,LF | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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