Modelo do Produto

SSM3J109TU (TE85L)

Introdução

Um circuito integrado especializado projetado para aplicações específicas, desenvolvido pela Toshiba Semiconductor and Storage.

Marca e Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Baixa resistência em condução, comutação de alta velocidade, carga de porta baixa e baixo requisito de corrente de acionamento.

Desempenho do Produto

Desempenho eficiente devido às capacidades de baixa resistência em condução e comutação de alta velocidade, com operação estável em uma ampla gama de temperaturas.

Especificações Técnicas

MOSFET de potência, N-Channel, único. Tensão de Dreno para Fonte (Vdss): 100V. Corrente de Dreno Contínua (Id): 1A. Dissipação de Potência: 1W. Rds On (Máx) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V.

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote de montagem em superfície compacto. Pacote: SOT-416FL. Dimensões: 2mm x 1,25mm x 0,98mm.

Qualidade e Confiabilidade

Projetado para longevidade e desempenho estável sob várias condições elétricas e ambientais.

Vantagens do Produto

Otimizado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Aumenta a eficiência geral dos circuitos eletrônicos.

Competitividade do Produto

Vantagem competitiva em aplicações que exigem baixa perda de potência e alta eficiência.

Compatibilidade

Compatível com técnicas existentes de montagem de circuitos padrão.

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre com os principais padrões internacionais eletrônicos e ambientais.

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longa vida operacional com degradação mínima ao longo do tempo. Componentes e embalagens ecologicamente corretas.

Áreas de Aplicação

Aplicações de gerenciamento de energia, conversores DC/DC, interruptores de carga, sistemas de gerenciamento de bateria.

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