| SSM3J108TU(TE85L) | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SSM3J108TU(TE85L) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Quantidade Disponível | 2568 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SSM3J108TU(TE85L).pdf2.SSM3J108TU(TE85L).pdf |
| SSM3J108TU(TE85L) Price |
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| Informações técnicas da SSM3J108TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SSM3J108TU(TE85L) | Categoria | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrição | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Pacote / Caso | UFM | Quantidade Disponível | 2568 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | UFM |
| Série | U-MOSIII | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 158mOhm @ 800mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max) | 500mW (Ta) | Caixa / Gabinete | 3-SMD, Flat Leads |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) | Número do produto base | SSM3J108 |
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