Modelo do Produto

7MBP50RA-120

Introdução

Módulo IGBT projetado para aplicações em eletrônica de potência

Marca e Fabricante

FUJI

Características

Tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Integrada, capacidade de comutação em alta velocidade, baixa perda de energia, alta capacidade de condução de corrente

Desempenho do Produto

Otimizado para alta eficiência e estabilidade térmica, capaz de lidar com alta tensão e corrente, durável sob condições de alta frequência de comutação

Especificações Técnicas

Tipo: Módulo IGBT, Configuração: Seis-Pack, Tensão Coletor-Emissor: 1200 V, Corrente Coletor: 50 A

Dimensões, Forma e Embalagem

Dimensões: Tamanho padrão do módulo, Forma: Retangular, Embalagem: Embalagem segura para garantir transporte seguro

Qualidade e Confiabilidade

Construído para atender altos padrões da indústria, testes rigorosos para garantir confiabilidade a longo prazo

Vantagens do Produto

Aumenta a eficiência do sistema, reduz custos operacionais devido à baixa perda de energia

Competitividade do Produto

Competitivo em mercados que exigem soluções de alta potência

Compatibilidade

Compatível com vários drivers de porta padrão

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões internacionais de segurança e ambientais

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longevidade em sistemas de alta demanda, materiais ambientalmente amigáveis utilizados

Áreas de Aplicação

Utilizado em drives de motor, inversores, fontes de alimentação comutadas e sistemas de veículos elétricos

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