Modelo do Produto

7MBP50NA120

Introdução

Módulo de Potência IGBT

Marca e Fabricante

FUJI

Características

Tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Integrada (IGBT), baixa perda de potência e alta eficiência, comutação de alta velocidade e diodo embutido.

Desempenho do Produto

Otimizados para manuseio de alta tensão e corrente, desempenho térmico aprimorado, durabilidade em operações de alta frequência.

Especificações Técnicas

Tensão: 1200 V, Corrente: 50 A, Configuração: 6-pack, Disipação de Potência: a ser determinado.

Dimensões, Forma e Embalagem

Dimensões: 100 mm x 45 mm x 40 mm, forma retangular, embalagem padrão industrial.

Qualidade e Confiabilidade

Alta confiabilidade em condições industriais, longa vida operacional, robustez em ambientes hostis.

Vantagens do Produto

Eficiente em termos de energia, perdas de comutação reduzidas, alta densidade de potência.

Competitividade do Produto

Desempenho superior em aplicações de eletrônica de potência, preço competitivo no mercado.

Compatibilidade

Compatível com diversos sistemas de acionamento e inversores, adequado para aplicações de alta tensão.

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões globais da indústria para segurança e desempenho, em conformidade com regulamentos ambientais.

Duração e Sustentabilidade

Projetado para uso a longo prazo, componentes recicláveis e ecológicos.

Áreas de Aplicação

Sistemas de geração de energia, veículos elétricos, acionamentos industriais, sistemas de gerenciamento de energia.

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