| SIHG33N60E-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SIHG33N60E-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| Quantidade Disponível | 3059 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
| SIHG33N60E-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SIHG33N60E-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SIHG33N60E-GE3 | Categoria | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| Pacote / Caso | TO-247AC | Quantidade Disponível | 3059 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247AC |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 278W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Número do produto base | SIHG33 | ||
| Download | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
SIHG33N60E-GE3
Introdução
Este é um MOSFET N-Channel de alta tensão e alto desempenho, projetado para diversas aplicações de potência.
Marca e Fabricante
Vishay Siliconix
Características
Alta tensão de dreno a fonte, N-Channel para condução eficiente, Capaz de lidar com correntes contínuas altas.
Desempenho do Produto
Dissipação de potência elevada de 278W, Baixo Rds On para eficiência energética, Capacidades robustas de gerenciamento térmico.
Especificações Técnicas
Tecnologia MOSFET, Tensão de dreno a fonte de 600V, Corrente de dreno contínua de 33A.
Dimensões, Forma e Embalagem
Embalagem TO-247AC, Tipo de montagem através de orifício, Fornecido em tubos.
Qualidade e Confiabilidade
Livre de chumbo e conforme RoHS, Resistente em uma ampla faixa de temperaturas operacionais.
Vantagens do Produto
Alta capacidade de manuseio de tensão, Operação eficiente em termos de energia, Adequado para aplicações de alta densidade de potência.
Competitividade do Produto
Oferece uma vantagem competitiva em aplicações de alta tensão.
Compatibilidade
Compatível com diversos circuitos que requerem MOSFETs N-Channel.
Certificação e Conformidade com Normas
Conforme RoHS para padrões ambientais.
Duração e Sustentabilidade
Projetado para confiabilidade a longo prazo em condições exigentes.
Áreas de Aplicação
Adequado para aplicações de gerenciamento de potência em áreas como computação, automotivo e sistemas industriais.
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SIHG33N60E-GE3 Online.
| Ações SIHG33N60E-GE3 | Preço SIHG33N60E-GE3 | SIHG33N60E-GE3 Electronics | |||
| Componentes SIHG33N60E-GE3 | Inventário SIHG33N60E-GE3 | SIHG33N60E-GE3 Digikey | |||
| Fornecedor SIHG33N60E-GE3 | Ordem SIHG33N60E-GE3 Online | Inquérito SIHG33N60E-GE3 | |||
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