| SI7540DP-T1-E3 | |
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| Modelo do Produto | SI7540DP-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Quantidade Disponível | 2835 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
| SI7540DP-T1-E3 Price |
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| Informações técnicas da SI7540DP-T1-E3 | |||
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| Número de peça do fabricante | SI7540DP-T1-E3 | Categoria | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 Dual | Quantidade Disponível | 2835 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual | Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | Power - Max | 1.4W |
| Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 Dual | Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Característica FET | Logic Level Gate | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 12V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.6A, 5.7A | Configuração | N and P-Channel |
| Número do produto base | SI7540 | ||
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Modelo do Produto
SI7540DP-T1-E3
Introdução
Array de MOSFETs de Canal N e P
Marca e Fabricante
Vishay / Siliconix
Características
Nível Lógico de Gatilho. Capacidade de Potência Aprimorada. Configuração Dual N e P-Channel. Baixa Resistência em On.
Desempenho do Produto
Altas Correntes de Dreno Contínuas de 7,6A (Canal N) e 5,7A (Canal P). Operacional entre -55°C e 150°C. Baixo Carga de Gatilho.
Especificações Técnicas
Tipo de FET: Canal N e P. Tensão de Dreno para Fonte (Vdss): 12V. Rds On (Máx): 17 mOhm. Carga de Gatilho (Qg): 17nC. Vgs(th) (Máx): 1,5V.
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote Dual PowerPAK SO-8 Montagem em Superfície. Fita e Bobina (TR) para Montagem Automatizada.
Qualidade e Confiabilidade
Fabricado pela Vishay, um Líder em Tecnologia de Semicondutores.
Vantagens do Produto
Alta eficiência com perdas de condução reduzidas. Mais fácil de acionar com o limiar de gatilho em nível lógico.
Competitividade do Produto
Desempenho competitivo de Rds(on) e Carga de Gatilho. Adequado para aplicações de Gerenciamento de Potência de Alta Densidade.
Compatibilidade
Compatível com Tecnologia de Montagem em Superfície. Aplicável em Circuitos de Gatilho em Nível Lógico.
Certificação e Conformidade com Normas
Compatível com Normas da Indústria para Componentes Eletrônicos.
Duração e Sustentabilidade
Resistente com Temperaturas de Operação Variando de -55°C a 150°C.
Áreas de Aplicação
Gerenciamento de Potência, Telecomunicações, Computação, Sistemas de Gerenciamento de Baterias, Comutação de Carga.
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