SI7460DP-T1-E3 | |
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Modelo do Produto | SI7460DP-T1-E3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descrição | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Quantidade Disponível | 7442 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
SI7460DP-T1-E3 Price |
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Informações técnicas da SI7460DP-T1-E3 | |||
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Número de peça do fabricante | SI7460DP-T1-E3 | Categoria | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 | Quantidade Disponível | 7442 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.9W (Ta) | Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Número do produto base | SI7460 |
Download | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7460DP-T1-E3
Transistor MOSFET N-Channel PowerPAK SO-8 da Vishay Siliconix
Vishay / Siliconix
Tecnologia TrenchFET N-Channel, alta eficiência devido à baixa resistência em condução, densidade de potência aprimorada.
Opera em temperaturas que variam de -55°C a 150°C, capacidade de corrente de dreno contínua de 11A a 25°C, dissipação de potência de 1,9W em temperatura ambiente.
Tensão de dreno a fonte (Vdss) de 60V, tensão de limiar de gate-fonte (Vgs(th)) máxima de 3V a 250µA, resistência em condução estática dreno-fonte (Rds On) de 9,6 mOhm a 18A, 10V.
Embalagem PowerPAK SO-8, fornecido em Tape & Reel (TR) para montagem automatizada.
Sem chumbo e compatível com RoHS, projetado para desempenho consistente e alta confiabilidade.
Baixa resistência térmica, adequado para aplicações de alta densidade de potência.
Competitivo em aplicações de gerenciamento de potência de alta eficiência.
Compatível com o processo de montagem automatizada, tecnologia de montagem em superfície compatível.
Sem chumbo e compatível com RoHS, garante conformidade com normas ambientais e de saúde.
Durável com longa vida operacional sob condições especificadas.
Fonte de alimentação, gerenciamento de potência, conversores DC-DC, aplicações de comutação.
Ações SI7460DP-T1-E3 | Preço SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Electronics | |||
Componentes SI7460DP-T1-E3 | Inventário SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
Fornecedor SI7460DP-T1-E3 | Ordem SI7460DP-T1-E3 Online | Inquérito SI7460DP-T1-E3 | |||
Imagem SI7460DP-T1-E3 | Imagem SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
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SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
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SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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