SI7370DP-T1-GE3 | |
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Modelo do Produto | SI7370DP-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descrição | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
Quantidade Disponível | 5201 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.SI7370DP-T1-GE3.pdf2.SI7370DP-T1-GE3.pdf |
SI7370DP-T1-GE3 Price |
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Informações técnicas da SI7370DP-T1-GE3 | |||
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Número de peça do fabricante | SI7370DP-T1-GE3 | Categoria | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 | Quantidade Disponível | 5201 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 11mOhm @ 12A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.9W (Ta) | Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Ta) | Número do produto base | SI7370 |
Download | SI7370DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7370DP-T1-GE3
MOSFET de canal N de alto desempenho
Vishay / Siliconix
Tecnologia TrenchFET de canal N, Baixa Resistência Ôn (Rds On), Alta Corrente de Dreno Contínua, Faixa de Operação de Temperatura Ampliada
Alta Capacidade de Dissipação de Potência, Comutação de Alta Velocidade Eficiente, Desempenho Térmico Melhorado
Tensão Dreno à Fonte de 60V, Corrente de Dreno Contínua de 9.6A, Rds On de 11 mOhm a 12A, 10V
Embala em PowerPAK SO-8, Configuração de Montagem Superficial, Fornecido em Rolo e Fita
Construção Robusta para Alta Confiabilidade, Conformidade com Padrões da Indústria
Eficiência Energética Melhorada, Geração de Calor Reduzida
Altíssima Relação Desempenho/Custo
Compatível com Processos SMD de Montagem Padrão
Cumpre Normas Internacionais Aplicáveis
Longa Vida Útil Operacional, Projetado para Uso Sustentável
Gerenciamento de Potência, Fontes de Potência de Modo de Conversão, Motores de Acionamento, Sistemas de Gerenciamento de Baterias
Ações SI7370DP-T1-GE3 | Preço SI7370DP-T1-GE3 | SI7370DP-T1-GE3 Electronics | |||
Componentes SI7370DP-T1-GE3 | Inventário SI7370DP-T1-GE3 | SI7370DP-T1-GE3 Digikey | |||
Fornecedor SI7370DP-T1-GE3 | Ordem SI7370DP-T1-GE3 Online | Inquérito SI7370DP-T1-GE3 | |||
Imagem SI7370DP-T1-GE3 | Imagem SI7370DP-T1-GE3 | SI7370DP-T1-GE3 PDF | |||
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Peças relacionadas para SI7370DP-T1-GE3 | |||||
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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SI7370DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
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SI7370DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7368DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7374DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7374DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7370DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
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SI7370DP-T1 | SI7370DP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7374DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7368DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7374DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7370DP | SI7370DP SI | SI | ||
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SI7380ADP | SI7380ADP SI | SI | ||
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SI7370DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7370DP-T1-E3 MOS | VISHAY SOP | VISHAY | ||
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SI7374DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7380ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7374DP | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Informações
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