| SI2369DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SI2369DS-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Quantidade Disponível | 8000 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SI2369DS-T1-GE3.pdf2.SI2369DS-T1-GE3.pdf3.SI2369DS-T1-GE3.pdf |
| SI2369DS-T1-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SI2369DS-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SI2369DS-T1-GE3 | Categoria | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descrição | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Pacote / Caso | SOT-23-3 (TO-236) | Quantidade Disponível | 8000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Número do produto base | SI2369 | ||
| Download | SI2369DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
SI2369DS-T1-GE3
Introdução
MOSFET P-Channel de pequeno sinal
Marca e Fabricante
Vishay / Siliconix
Características
Série TrenchFET; Tecnologia MOSFET P-Channel; Sem chumbo, em conformidade com a ROHS; Pacote de montagem em superfície TO-236; Alta corrente contínua de dreno.
Desempenho do Produto
Amplitude de temperatura de operação de -55°C a 150°C; Adequado para alta dissipação de potência de até 2,5W; Excelente desempenho Rds On.
Especificações Técnicas
Tensão de dreno para fonte (Vdss): 30V; Tensão de porta (Vgs): ±20V; Tensão de limiar de porta (Vgs(th)): 2,5V.
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Embalagem em fita e carretel (TR) para montagem automatizada.
Qualidade e Confiabilidade
Construção altamente confiável da Siliconix.
Vantagens do Produto
Gerenciamento de energia eficiente; Redução de perdas de energia.
Competitividade do Produto
Competitivo em aplicações de potência de alta densidade.
Compatibilidade
Compatível com técnicas padrão de montagem em superfície.
Certificação e Conformidade com Normas
Em conformidade com a ROHS para segurança ambiental.
Duração e Sustentabilidade
Projetado para confiabilidade a longo prazo.
Áreas de Aplicação
Gerenciamento de potência em eletrônicos portáteis; Aplicações de comutação e amplificação.
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