Modelo do Produto

TC58NVG2S3EBAI5

Introdução

IC de Memória Flash NAND

Marca e Fabricante

Toshiba Semicondutores e Armazenamento

Características

Leitura e escrita em alta velocidade, grande capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia, suporte para apagamento por página e bloco.

Desempenho do Produto

Velocidade de programação rápida, alta durabilidade, código de correção de erro (ECC) integrado.

Especificações Técnicas

Memória Flash do Tipo NAND, densidade de 8Gb (Gigabit), faixa de tensão de alimentação de 2,7V a 3,6V.

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote Ball Grid Array (BGA), fator de forma compacto.

Qualidade e Confiabilidade

Alta MTBF (Tempo Médio Entre Falhas), durabilidade de até 100.000 ciclos de programação/apagamento.

Vantagens do Produto

Retenção de dados competitiva, adequada para aplicações de alto desempenho.

Competitividade do Produto

Custo-benefício para soluções de armazenamento em massa, relação desempenho/custo líder do setor.

Compatibilidade

Compatível com interfaces padrão de memória Flash NAND.

Certificação e Conformidade com Normas

Conformidade com RoHS, opções livres de halogênio disponíveis.

Duração e Sustentabilidade

Longa vida útil com uso adequado, processos de fabricação ecológicos.

Áreas de Aplicação

Eletrônicos de consumo, unidades de estado sólido (SSDs), dispositivos móveis, sistemas embarcados.

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