| 2SK3868(Q,M) | |
|---|---|
| Modelo do Produto | 2SK3868(Q,M) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
| Quantidade Disponível | 2652 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.2SK3868(Q,M).pdf2.2SK3868(Q,M).pdf |
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| Informações técnicas da 2SK3868(Q,M) | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | 2SK3868(Q,M) | Categoria | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrição | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
| Pacote / Caso | TO-220SIS | Quantidade Disponível | 2652 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220SIS |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 35W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack |
| Pacote | Bulk | Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Número do produto base | 2SK3868 | ||
| Download | 2SK3868(Q,M) PDF - EN.pdf | ||
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| Ações 2SK3868(Q,M) | Preço 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Electronics | |||
| Componentes 2SK3868(Q,M) | Inventário 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Digikey | |||
| Fornecedor 2SK3868(Q,M) | Ordem 2SK3868(Q,M) Online | Inquérito 2SK3868(Q,M) | |||
| Imagem 2SK3868(Q,M) | Imagem 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) PDF | |||
| Folha de dados 2SK3868(Q,M) | Download da folha de dados 2SK3868(Q,M) | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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