Modelo do Produto

KLUDG8V1EE-B0C1

Introdução

IC de armazenamento de memória de alto desempenho

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Nivelamento avançado de desgaste, alta capacidade de leitura/gravação, baixo consumo de energia, formato compacto, retenção de dados aprimorada

Desempenho do Produto

Desempenho superior de entrada/saída, correção de erros robusta (CEC), resistência para operação contínua

Especificações Técnicas

Tipo NAND: V-NAND, Interface: UFS 3.1, Opções de capacidade de memória

Dimensões, Forma e Embalagem

Chip integrado de tamanho pequeno, embalagem industrial padrão, compatível com tecnologia de montagem em superfície (TMS)

Qualidade e Confiabilidade

Processos rigorosos de controle de qualidade, alto MTBF (Tempo Médio Entre Falhas), resistente a estressores ambientais

Vantagens do Produto

Aumento da resposta do sistema, adequado para aplicações de alta densidade, otimizado para multitarefas

Competitividade do Produto

Concorre em velocidade e confiabilidade, líder de mercado em tecnologia NAND, vantagem em eficiência energética

Compatibilidade

Compatibilidade ampla com dispositivos, conformidade com padrões de interface da indústria

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre padrões JEDEC, em conformidade com RoHS e outras diretrizes ambientais

Duração e Sustentabilidade

Longa vida útil operacional, processo de fabricação ecologicamente correto

Áreas de Aplicação

Dispositivos móveis, computação de alto desempenho, indústria automotiva, soluções de armazenamento empresarial

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