Modelo do Produto

K9F4G08U0E-SIB0T

Introdução

Memória Flash NAND Samsung K9F4G08U0E-SIB0

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Armazenamento Flash NAND de Alta Densidade, Tecnologia de Célula de Nível Único (SLC), Capacidades Rápidas de Leitura e Gravação, Suporte a ECC (Código de Correção de Erros), Suporte para Gerenciamento de Blocos Defeituosos

Desempenho do Produto

Programação em Alta Velocidade, Alta Resistência e Confiabilidade, Baixo Consumo de Energia

Especificações Técnicas

Densidade de 4Gb (Gigabit), Interface I/O x8, Faixa de Tensão de Alimentação de 2,7V a 3,6V, Faixa de Temperatura Operacional: -40°C a +85°C

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote TSOP1, Pacote Padrão de 48 Pinos, Largura: 12mm, Comprimento: 20mm, Altura: 1.2mm

Qualidade e Confiabilidade

Suporte MTBF (Tempo Médio Entre Falhas), Faixa de Temperatura Operacional Estendida, Garantia de Qualidade com os Rigorosos Protocolos de Teste da Samsung

Vantagens do Produto

Grande Capacidade de Memória para Aplicações de Armazenamento, Retenção de Dados Confiável, Velocidade de Acesso Rápido Benéfica para Manipulação Rápida de Dados

Competitividade do Produto

Memória Flash de Alto Desempenho, Reputação por Durabilidade e Longa Vida Útil, Amplamente Utilizada no Mercado

Compatibilidade

Compatível com Controladores Padrão de Memória Flash NAND

Certificação e Conformidade com Normas

Compatível com RoHS, Atende às Especificações dos Padrões da Indústria

Duração e Sustentabilidade

Projeto para Confiabilidade a Longo Prazo, Capaz de um Alto Número de Ciclos de Programa/Apagar

Áreas de Aplicação

Unidades de Estado Sólido (SSDs), Sistemas Embutidos, Câmeras Digitais e Reprodutores de MP3, Dispositivos Móveis e Smartphones

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