Modelo do Produto

K9F1G08U0B-PC80

Introdução

Memória Flash NAND da Samsung Semiconductor

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Capacidade nativa de 1GB, arquitetura de memória NAND flash, módulo de memória de alta densidade, baixo consumo de energia, tamanho de página de 2K bytes.

Desempenho do Produto

Altas velocidades de leitura e gravação, resistência a ciclos de programação/apaga elevados, suporte a código de correção de erro (ECC).

Especificações Técnicas

Faixa de voltagem: 2.7V a 3.6V, tempo de acesso serial: 25ns.

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote TSOP de 48 pinos, fator de forma padrão do chip, embalagem sensível à umidade.

Qualidade e Confiabilidade

Dados de MTBF fornecidos, resultados de testes de estresse disponíveis, garantia de qualidade da Samsung.

Vantagens do Produto

Alta densidade de armazenamento, desempenho robusto em várias temperaturas, confiabilidade da marca Samsung.

Competitividade do Produto

Preços competitivos no mercado de memória flash, reputação da Samsung por produtos de memória duráveis.

Compatibilidade

Suporta interfaces padrão de memória NAND flash, útil em diversos tipos de sistemas embarcados.

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões de conformidade para memória flash, compatível com RoHS.

Duração e Sustentabilidade

Vida útil operacional longa típica de memória NAND, conformidade com RoHS indica redução de substâncias perigosas.

Áreas de Aplicação

Eletrônicos de consumo, dispositivos móveis, unidades de estado sólido (SSDs), pen drives USB.

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