Modelo do Produto

K6T4016U3B-TF85

Introdução

Memória de acesso aleatório estático de matriz de comutação de metal-óxido complementar (SRAM) de alto desempenho

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Memória SRAM de baixo consumo de energia, entradas e saídas compatíveis com TTL, desligamento automático de energia quando não selecionada

Desempenho do Produto

Tempo de acesso rápido, baixa tensão de retenção de dados, corrente mínima de retenção de dados

Especificações Técnicas

Organização de 256Kx16 bits, faixa de tensão de alimentação de 2,7V a 3,6V, faixa de temperatura operacional de -40°C a +85°C

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem fina de pequeno porte (TSOP1) com espaçamento fino de 48

Qualidade e Confiabilidade

Testada para durabilidade e estabilidade, cumprindo normas de qualidade da Samsung

Vantagens do Produto

Solução SRAM de alta densidade, baixo consumo de energia ideal para aplicações com backup de bateria

Competitividade do Produto

Reputação e expertise tecnológica da Samsung, preços e desempenho competitivos

Compatibilidade

Compatível com uma ampla gama de microprocessadores e processadores de sinal digital

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre normas JEDEC para SRAM

Duração e Sustentabilidade

Ciclo de vida estendido para requisitos de memória de grau industrial, cumprimento de normas ambientais

Áreas de Aplicação

Telecomunicações, sistemas de computação, eletrônicos portáteis, eletrônicos automotivos

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