Modelo do Produto

K6T1008C2E-GF70

Introdução

RAM estática CMOS de baixa potência de 128K x 8 bits

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Operação de baixa potência; Muito baixo consumo em modo de espera; Desligamento automático quando o chip não está selecionado.

Desempenho do Produto

Tempo de acesso de alta velocidade: 70ns; Operação de baixa potência e modos de espera.

Especificações Técnicas

Tensão - Fonte de Alimentação: 4.5V ~ 5.5V; Temperatura de Operação: -40°C a 85°C.

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote TSOP1 de 28 pinos; Formato para montagem em superfície; Dimensões aproximadas: 8.1mm x 18.4mm.

Qualidade e Confiabilidade

Alta estabilidade de retenção de dados; Fabricado pela Samsung, um produtor de semicondutores respeitável.

Vantagens do Produto

Tempo de acesso rápido, adequado para computação de alto desempenho; Facilidade de integração em vários sistemas eletrônicos.

Competitividade do Produto

Preço competitivo entre ofertas semelhantes de SRAM CMOS; Marca amplamente reconhecida na indústria de semicondutores.

Compatibilidade

Compatível com uma ampla gama de microprocessadores e microcontroladores.

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme com a norma RoHS para padrões ambientais.

Duração e Sustentabilidade

Projetado para uso prolongado em sistemas eletrônicos; Práticas de fabricação sustentável pela Samsung.

Áreas de Aplicação

Utilizado em uma variedade de sistemas de computação e embarcados; Aplicável nos mercados de telecomunicações, automotivo e industrial.

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