Modelo do Produto

K4T51163QQBCE7

Introdução

Circuito Integrado de Memória de Alta Densidade

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Transferência de dados em alta velocidade, baixo consumo de energia, integração de alta densidade

Desempenho do Produto

Retenção de dados confiável, tempos de acesso rápidos, operação estável em várias temperaturas

Especificações Técnicas

Tipo de Memória: DDR2, Tamanho da Memória: 4 Gb (gigabits), Taxa de Dados: 800 Mbps, Embalagem / Caixa: FBGA

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem retangular BGA, tecnologia de montagem em superfície, dimensões de CI padronizadas

Qualidade e Confiabilidade

Testado para resistência, baixa taxa de falhas, desempenho consistente

Vantagens do Produto

Grande capacidade de armazenamento, design eficiente em energia, adequado para aplicações avançadas de computação

Competitividade do Produto

Relação preço-desempenho competitiva, marca amplamente reconhecida

Compatibilidade

Compatível com várias placas-mãe e dispositivos que utilizam DDR2

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões da indústria para memória DDR2

Duração e Sustentabilidade

Longa vida útil operacional, composto por materiais ecologicamente corretos

Áreas de Aplicação

Computadores e servidores, sistemas de computação de alto desempenho, dispositivos eletrônicos avançados

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