Modelo do Produto

K4B4G3146C-SYF8

Introdução

IC de DDR3 SDRAM de alto desempenho

Marca e Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Taxas de transferência de dados elevadas, baixo consumo de energia, 8 bancos internos para operações simultâneas

Desempenho do Produto

Suporta taxas de dados de até 1866 Mbps, Auto-refrescamento Auto-compensado por Temperatura (TCSR), Latência CAS e comprimento de burst programáveis

Especificações Técnicas

Tecnologia DDR3 SDRAM, Largura de dados: 4 bits, Tamanho da memória: 4 Gb

Dimensões, Forma e Embalagem

Empacotamento de array de grão de bola (BGA), Baixo perfil para instalações compactas

Qualidade e Confiabilidade

Operação em ampla faixa de temperatura, Alta durabilidade em uso contínuo de dados, Conformidade com padrões de confiabilidade JEDEC

Vantagens do Produto

Otimizado para aplicações de computação de alta velocidade, Características térmicas melhoradas para maior estabilidade

Competitividade do Produto

Desempenho líder na categoria DDR3, Amplamente utilizado em mercados de consumo e industriais

Compatibilidade

Compatível com conectores padrão de DDR3 SDRAM, Conformidade com especificações de voltagem e tempo padrão para interoperabilidade

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme ao padrão JEDEC, Conforme ao RoHS para segurança ambiental

Duração e Sustentabilidade

Projetado para confiabilidade de longo prazo, Suporta modos de economia de energia para prolongar a vida útil e reduzir o impacto ambiental

Áreas de Aplicação

Eletrônicos de consumo, Dispositivos de computação, Hardware de rede, Sistemas embutidos

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