MT58L128L36P1T-7.5
Modelo do Produto MT58L128L36P1T-7.5
Fabricante Micron Technology Inc.
Descrição IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
Quantidade Disponível 2849 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Informações técnicas da MT58L128L36P1T-7.5
Número de peça do fabricante MT58L128L36P1T-7.5 Categoria Circuitos integrados (ICs)
Fabricante Micron Technology Descrição IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
Pacote / Caso 100-TQFP (14x20.1) Quantidade Disponível 2849 pcs
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página - Tensão - Fornecimento 3.135V ~ 3.6V
Tecnologia SRAM - Standard Embalagem do dispositivo fornecedor 100-TQFP (14x20.1)
Série SYNCBURST™ Caixa / Gabinete 100-LQFP
Pacote Bulk Temperatura de operação 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem Surface Mount Tipo de memória Volatile
Tamanho da memória 4Mbit Organização de memória 128K x 36
Interface de memória Parallel Formato de memória SRAM
Freqüência de relógio 133 MHz Tempo de acesso 4 ns
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Modelo do Produto

MT58L128L36P1T-7.5

Introdução

Memória SRAM de alta velocidade de 4Mbit projetada para soluções de memória avançadas.

Marca e Fabricante

Micron Technology

Características

Tecnologia de memória volátil, tecnologia SRAM de padrão, interface de memória paralela, capacidades de acesso e processamento de alta velocidade.

Desempenho do Produto

Tamanho de memória de 4Mbit, organização de memória de 128K x 36, frequência de relógio de 133 MHz, tempo de acesso tão baixo quanto 4 ns.

Especificações Técnicas

Tipo de memória: SRAM, Formato de memória: SRAM de padrão, Tamanho de memória: 4Mbit, Organização de memória: 128K x 36, Frequência de relógio: 133 MHz, Tempo de acesso: 4 ns.

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalado em pacote de 100-LQFP, tipo de montagem de montagem em superfície, embalado em lote.

Qualidade e Confiabilidade

Opera dentro de uma faixa de temperatura de 0°C a 70°C.

Vantagens do Produto

Tempo de acesso rápido melhora o desempenho do sistema, organização de memória ampla facilita a gestão de dados.

Competitividade do Produto

Projetado para atender à demanda de memória de alta velocidade em mercados competitivos.

Compatibilidade

Compatível com sistemas que exigem interface de memória paralela e altas frequências de relógio.

Certificação e Conformidade com Normas

Compatível com faixas padrão de suprimento de tensão e temperaturas de operação para dispositivos SRAM.

Duração e Sustentabilidade

Projetado para desempenho sustentado dentro de faixas de temperatura de operação padrão.

Áreas de Aplicação

Apropriado para uso em sistemas de computação avançados, processamento de dados de alta velocidade e outras aplicações intensivas em memória.

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