MT46H8M16LFCF-75 | |
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Modelo do Produto | MT46H8M16LFCF-75 |
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Descrição | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
Quantidade Disponível | 2865 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | MT46H8M16LFCF-75.pdf |
MT46H8M16LFCF-75 Price |
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Informações técnicas da MT46H8M16LFCF-75 | |||
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Número de peça do fabricante | MT46H8M16LFCF-75 | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
Fabricante | Micron Technology | Descrição | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
Pacote / Caso | 60-VFBGA (8x10) | Quantidade Disponível | 2865 pcs |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | 15ns | Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR | Embalagem do dispositivo fornecedor | 60-VFBGA (8x10) |
Série | - | Caixa / Gabinete | 60-VFBGA |
Pacote | Tray | Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Tipo de memória | Volatile |
Tamanho da memória | 128Mbit | Organização de memória | 8M x 16 |
Interface de memória | Parallel | Formato de memória | DRAM |
Freqüência de relógio | 133 MHz | Número do produto base | MT46H8M16 |
Tempo de acesso | 6 ns | ||
Download | MT46H8M16LFCF-75 PDF - EN.pdf |
MT46H8M16LFCF-75
SDRAM LPDDR obsoleto projetado para aplicações de armazenamento de dados em alta velocidade.
Micron Technology
Tipo de memória volátil; Tecnologia SDRAM otimizada para dispositivos móveis; Interface de memória paralela.
Frequência de Clock: 133 MHz; Tempo de Ciclo de Escrita - Palavra, Página: 15ns; Tempo de Acesso: 6 ns.
Tamanho da Memória: 128Mbit; Organização da Memória: 8M x 16; Voltagem - Alimentação: 1,7V ~ 1,9V.
Embalagem: 60-VFBGA (8x10).
Projetado para temperaturas de operação padrão de 0°C a 70°C.
Tempos de acesso e escrita rápidos, adequados para aplicações que exigem desempenho elevado.
Altas velocidades de clock em uma embalagem VFBGA compacta e eficiente.
Compatível com sistemas que requerem interface paralela e SDRAM de baixo consumo.
Atende aos requisitos padrão de SDRAM para dispositivos móveis.
Vida útil padrão para produtos de memória volátil, com foco na confiabilidade sob temperaturas de operação especificadas.
Usado em dispositivos móveis que requerem armazenamento de memória rápido e eficiente.
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