IXTH200N10T
Modelo do Produto IXTH200N10T
Fabricante IXYS
Descrição MOSFET N-CH 100V 200A TO247
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Informações técnicas da IXTH200N10T
Número de peça do fabricante IXTH200N10T Categoria  
Fabricante IXYS / Littelfuse Descrição MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Pacote / Caso TO-247 (IXTH) Quantidade Disponível 5761 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247 (IXTH)
Série Trench RDS ON (Max) @ Id, VGS 5.5mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 550W (Tc) Caixa / Gabinete TO-247-3
Pacote Tube Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Número do produto base IXTH200  
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