| SPN03N60C3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SPN03N60C3 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
| Quantidade Disponível | 12620 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SPN03N60C3.pdf2.SPN03N60C3.pdf |
| SPN03N60C3 Price |
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| Informações técnicas da SPN03N60C3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SPN03N60C3 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
| Pacote / Caso | PG-SOT223-4 | Quantidade Disponível | 12620 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-SOT223-4 |
| Série | CoolMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta) | Caixa / Gabinete | TO-261-4, TO-261AA |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Número do produto base | SPN03N | ||
| Download | SPN03N60C3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
SPN03N60C3
Introdução
Transistor MOSFET de alta tensão para comutação eletrônica
Marca e Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Características
Tecnologia CoolMOS N-Channel, alta capacidade de tensão de bloqueio, baixa resistência em estado ligado, desempenho de comutação rápida
Desempenho do Produto
Dissipação máxima de potência de 1.8W em temperatura ambiente, faixa de temperatura de operação de -55°C a 150°C
Especificações Técnicas
Transistor MOSFET com montagem em superfície, Semiconductor de Óxido Metálico, tensão de drenagem para fonte (Vdss) de 650V, corrente contínua de drenagem (Id) de 700mA a 25°C, Rds On de 1.4 Ohm a 2A, 10V, tensão de limiar de porta (Vgs(th)) máxima de 3.9V a 135A, carga de porta (Qg) máxima de 17nC a 10V, capacitância de entrada (Ciss) de 400pF a 25V
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote TO-261-4, dispositivo no pacote TO-261AA, embalagem Tape & Reel (TR) do fabricante
Qualidade e Confiabilidade
Construção robusta para desempenho a longo prazo, adequada para aplicações industriais
Vantagens do Produto
Alta eficiência devido às baixas perdas, compatível com processos de montagem em superfície existentes
Competitividade do Produto
Preço competitivo para aplicações de gerenciamento de energia, desempenho sólido em sua classe de tensão e corrente
Compatibilidade
Adequado para aplicações de alta tensão em diversas plataformas
Certificação e Conformidade com Normas
Não conforme com RoHS devido ao teor de chumbo
Duração e Sustentabilidade
Construção durável para vida útil prolongada em ambientes adversos
Áreas de Aplicação
Fontes de alimentação, aplicações de iluminação, sistemas de controle de motores, inversores e conversores
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SPN03N60C3 Online.
| Ações SPN03N60C3 | Preço SPN03N60C3 | SPN03N60C3 Electronics | |||
| Componentes SPN03N60C3 | Inventário SPN03N60C3 | SPN03N60C3 Digikey | |||
| Fornecedor SPN03N60C3 | Ordem SPN03N60C3 Online | Inquérito SPN03N60C3 | |||
| Imagem SPN03N60C3 | Imagem SPN03N60C3 | SPN03N60C3 PDF | |||
| Folha de dados SPN03N60C3 | Download da folha de dados SPN03N60C3 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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