SPA11N80C3 | |
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Modelo do Produto | SPA11N80C3 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
Quantidade Disponível | 9200 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | |
SPA11N80C3 Price |
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Informações técnicas da SPA11N80C3 | |||
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Número de peça do fabricante | SPA11N80C3 | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
Pacote / Caso | TO220F | Quantidade Disponível | 9200 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO220-FP |
Série | CoolMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 34W (Tc) | Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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SPA11N80C3
MOSFET de canal N de alta voltagem projetado para aplicações de conversão de energia de alta eficiência.
International Rectifier (Infineon Technologies)
Tecnologia CoolMOS para redução das perdas de energia, alta tensão de ruptura (800V), baixa resistência em condução (450 mOhm), embalagem de tipo through-hole para fácil montagem, adequado para operação em altas temperaturas até 150°C.
Pode lidar com corrente contínua de dreno até 11A a 25°C, suporta tensão entre porta e fonte até ±20V, apresenta dissipação máxima de potência de 34W, opera eficientemente com carga de porta de 85nC a 10V.
Tipo FET: MOSFET de canal N, Tensão Dreno para Fonte (Vdss): 800V, Corrente - Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm a 7.1A, 10V, Carga da Porta (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC a 10V, Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF a 100V, Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Embalagem/Casco: TO-220-3 Full Pack, Embalagem de Dispositivo do Fornecedor: PG-TO220-FP, Embalagem de tubo padrão para manuseio e armazenamento seguros.
Projetado para atender a padrões rigorosos de qualidade e confiabilidade em ambientes industriais, gerenciamento térmico robusto para extensão da vida útil.
Capacidade de alta voltagem e eficiência energética melhoram o desempenho do sistema geral, design robusto adequado para aplicações exigentes.
Posicionado de forma competitiva no mercado de MOSFETs de alta voltagem, oferece vantagens de desempenho em comparação com produtos similares em termos de eficiência e gerenciamento térmico.
Compatível com técnicas de montagem através de furos padrão, funciona com tensões de acionamento de porta típicas usadas em aplicações de alta potência.
Cumpre especificações padrão da indústria para segurança e desempenho.
Engenharia para confiabilidade a longo prazo sob condições de alto estresse, suporta operações sustentáveis através do desempenho eficiente em termos de energia.
Amplamente utilizado em fontes de alimentação, inversores e reguladores de comutação, adequado para aplicações que exigem gerenciamento de alta voltagem e potência, como motores industriais e inversores solares.
Ações SPA11N80C3 | Preço SPA11N80C3 | SPA11N80C3 Electronics |
Componentes SPA11N80C3 | Inventário SPA11N80C3 | SPA11N80C3 Digikey |
Fornecedor SPA11N80C3 | Ordem SPA11N80C3 Online | Inquérito SPA11N80C3 |
Imagem SPA11N80C3 | Imagem SPA11N80C3 | SPA11N80C3 PDF |
Folha de dados SPA11N80C3 | Download da folha de dados SPA11N80C3 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |