ISP12DP06NMXTSA1
Modelo do Produto ISP12DP06NMXTSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Quantidade Disponível 756 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Informações técnicas da ISP12DP06NMXTSA1
Número de peça do fabricante ISP12DP06NMXTSA1 Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrição MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Pacote / Caso PG-SOT223-4 Quantidade Disponível 756 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 520µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT223-4
Série OptiMOS™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 125mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Caixa / Gabinete TO-261-4, TO-261AA
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 30 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20.2 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Número do produto base ISP12DP06  
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