ISP12DP06NMXTSA1 | |
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Modelo do Produto | ISP12DP06NMXTSA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Quantidade Disponível | 756 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.ISP12DP06NMXTSA1.pdf2.ISP12DP06NMXTSA1.pdf3.ISP12DP06NMXTSA1.pdf4.ISP12DP06NMXTSA1.pdf |
ISP12DP06NMXTSA1 Price |
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Informações técnicas da ISP12DP06NMXTSA1 | |||
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Número de peça do fabricante | ISP12DP06NMXTSA1 | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Pacote / Caso | PG-SOT223-4 | Quantidade Disponível | 756 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-SOT223-4 |
Série | OptiMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Número do produto base | ISP12DP06 |
Ações ISP12DP06NMXTSA1 | Preço ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Electronics | |||
Componentes ISP12DP06NMXTSA1 | Inventário ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Digikey | |||
Fornecedor ISP12DP06NMXTSA1 | Ordem ISP12DP06NMXTSA1 Online | Inquérito ISP12DP06NMXTSA1 | |||
Imagem ISP12DP06NMXTSA1 | Imagem ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 PDF | |||
Folha de dados ISP12DP06NMXTSA1 | Download da folha de dados ISP12DP06NMXTSA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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