IRLZ44NSTRLPBF | |
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Modelo do Produto | IRLZ44NSTRLPBF |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK |
Quantidade Disponível | 10100 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.IRLZ44NSTRLPBF.pdf2.IRLZ44NSTRLPBF.pdf3.IRLZ44NSTRLPBF.pdf4.IRLZ44NSTRLPBF.pdf5.IRLZ44NSTRLPBF.pdf6.IRLZ44NSTRLPBF.pdf |
IRLZ44NSTRLPBF Price |
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Informações técnicas da IRLZ44NSTRLPBF | |||
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Número de peça do fabricante | IRLZ44NSTRLPBF | Categoria | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK |
Pacote / Caso | D2PAK | Quantidade Disponível | 10100 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | D2PAK |
Série | HEXFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 22mOhm @ 25A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 5 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 55 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Número do produto base | IRLZ44 | ||
Download | IRLZ44NSTRLPBF PDF - EN.pdf |
IRLZ44NSTRLPBF
O IRLZ44NSTRLPBF é um transistor MOSFET de canal N que opera como um semicondutor discreto. Ele é desenvolvido pela renomada marca internacional Infineon Technologies sob o nome da série HEXFET.
A marca e fabricante do dispositivo é a International Rectifier (Infineon Technologies).
As principais características do dispositivo abrangem uma tensão máxima de dreno para fonte (Vdss) de 55V, uma corrente de dreno contínua (Id) de 47A a 25 graus Celsius e uma resistência Rds on máxima de 22 mOhm a 25A, 10V.
O dispositivo é projetado para ter uma faixa de temperatura de operação entre -55 graus Celsius e 175 graus Celsius. Possui uma carga máxima de gate de 48nC a 5V e capacitância de entrada (Ciss) máxima de 1700pF a 25V.
O dispositivo pertence à divisão de tecnologia de FETs, MOSFETs, com uma dissipação máxima de potência (Max) de 3,8W à temperatura ambiente e 110W durante a operação a temperatura de junção. A tensão de limiar do gate é máxima de 2V a 250A.
O dispositivo é projetado para montagem em superfície e vem embalado em Digi-Reel. Seu formato de embalagem é TO-263-3, DPAk (2 pinos + Tab), TO-263AB.
O dispositivo fornecido pela Infineon Technologies garante alta qualidade e confiabilidade, sendo conhecido por produzir soluções semicondutoras eficientes e robustas.
Devido à sua tecnologia de óxido metálico, este dispositivo pode suportar alta dissipação de potência e corrente de dreno contínua, sendo, portanto, adequado para aplicações de alto desempenho.
O dispositivo se torna altamente competitivo devido às suas características técnicas superiores e ao valor da marca International Rectifier (Infineon Technologies).
O dispositivo é compatível com a maioria das aplicações eletrônicas comerciais e industriais devido ao seu tipo padrão de embalagem e montagem.
O dispositivo atende aos padrões e certificações necessárias aplicáveis para FETs e MOSFETs.
Assim como o desempenho e a qualidade do produto, a Infineon Technologies garante uma longa vida útil e operação sustentável de seus produtos.
O dispositivo é aplicável em diversos campos que exigem manejo de alta potência, tais como controle de motores, fontes de alimentação e outros conversores DC-DC de alta eficiência.
Ações IRLZ44NSTRLPBF | Preço IRLZ44NSTRLPBF | IRLZ44NSTRLPBF Electronics | |||
Componentes IRLZ44NSTRLPBF | Inventário IRLZ44NSTRLPBF | IRLZ44NSTRLPBF Digikey | |||
Fornecedor IRLZ44NSTRLPBF | Ordem IRLZ44NSTRLPBF Online | Inquérito IRLZ44NSTRLPBF | |||
Imagem IRLZ44NSTRLPBF | Imagem IRLZ44NSTRLPBF | IRLZ44NSTRLPBF PDF | |||
Folha de dados IRLZ44NSTRLPBF | Download da folha de dados IRLZ44NSTRLPBF | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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IRLZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44PBF | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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IRLZ44NSTRPBF. | IR TO-263 | IR | ||
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IRLZ44NX | IRLZ44NX IR | IR | ||
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IRLZ44NPBF | MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44NLPBF | MOSFET N-CH 55V 47A TO262 | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44L | MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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IRLZ44NL | MOSFET N-CH 55V 47A TO262 | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44PBF | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
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IRLZ44NSTRPBF | IRLZ44NSTRPBF IR | IR | ||
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IRLZ44NSTRR MOS | IR TO-263 | IR | ||
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IRLZ44NSNL | IRLZ44NSNL VB | VB | ||
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IRLZ44N MOS | IR TO220 | IR | ||
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IRLZ44NSPBF | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
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IRLZ44N | IRLZ44N IR | IR | ||
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IRLZ44NSTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRLZ44PBF MOS | VBSEMI TO-220AB | VBSEMI | ||
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IRLZ44NS | IRLZ44NS IR | IR | ||
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IRLZ44L | MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 | Vishay Siliconix |
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