IRLZ44NSTRLPBF
Modelo do Produto IRLZ44NSTRLPBF
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
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Informações técnicas da IRLZ44NSTRLPBF
Número de peça do fabricante IRLZ44NSTRLPBF Categoria  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrição MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Pacote / Caso D2PAK Quantidade Disponível 10100 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK
Série HEXFET® RDS ON (Max) @ Id, VGS 22mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
Número do produto base IRLZ44  
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Modelo do Produto

IRLZ44NSTRLPBF

Introdução

O IRLZ44NSTRLPBF é um transistor MOSFET de canal N que opera como um semicondutor discreto. Ele é desenvolvido pela renomada marca internacional Infineon Technologies sob o nome da série HEXFET.

Marca e Fabricante

A marca e fabricante do dispositivo é a International Rectifier (Infineon Technologies).

Características

As principais características do dispositivo abrangem uma tensão máxima de dreno para fonte (Vdss) de 55V, uma corrente de dreno contínua (Id) de 47A a 25 graus Celsius e uma resistência Rds on máxima de 22 mOhm a 25A, 10V.

Desempenho do Produto

O dispositivo é projetado para ter uma faixa de temperatura de operação entre -55 graus Celsius e 175 graus Celsius. Possui uma carga máxima de gate de 48nC a 5V e capacitância de entrada (Ciss) máxima de 1700pF a 25V.

Especificações Técnicas

O dispositivo pertence à divisão de tecnologia de FETs, MOSFETs, com uma dissipação máxima de potência (Max) de 3,8W à temperatura ambiente e 110W durante a operação a temperatura de junção. A tensão de limiar do gate é máxima de 2V a 250A.

Dimensões, Forma e Embalagem

O dispositivo é projetado para montagem em superfície e vem embalado em Digi-Reel. Seu formato de embalagem é TO-263-3, DPAk (2 pinos + Tab), TO-263AB.

Qualidade e Confiabilidade

O dispositivo fornecido pela Infineon Technologies garante alta qualidade e confiabilidade, sendo conhecido por produzir soluções semicondutoras eficientes e robustas.

Vantagens do Produto

Devido à sua tecnologia de óxido metálico, este dispositivo pode suportar alta dissipação de potência e corrente de dreno contínua, sendo, portanto, adequado para aplicações de alto desempenho.

Competitividade do Produto

O dispositivo se torna altamente competitivo devido às suas características técnicas superiores e ao valor da marca International Rectifier (Infineon Technologies).

Compatibilidade

O dispositivo é compatível com a maioria das aplicações eletrônicas comerciais e industriais devido ao seu tipo padrão de embalagem e montagem.

Certificação e Conformidade com Normas

O dispositivo atende aos padrões e certificações necessárias aplicáveis para FETs e MOSFETs.

Duração e Sustentabilidade

Assim como o desempenho e a qualidade do produto, a Infineon Technologies garante uma longa vida útil e operação sustentável de seus produtos.

Áreas de Aplicação

O dispositivo é aplicável em diversos campos que exigem manejo de alta potência, tais como controle de motores, fontes de alimentação e outros conversores DC-DC de alta eficiência.

IRLZ44NSTRLPBF são novos e originais em estoque, encontrar estoque de componentes eletrônicos IRLZ44NSTRLPBF, folha de dados, inventário e preço em Ariat-Tech .com on-line, ordem IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies com garantia e confiança de tecnologia Ariat Limitd. Envie via DHL / FedEx / UPS. Pagamento com transferência bancária ou PayPal é OK.
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