| IRLR3636PBF | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IRLR3636PBF |
| Fabricante | International Rectifier |
| Descrição | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
| Quantidade Disponível | 20702 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | |
| IRLR3636PBF Price |
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| Informações técnicas da IRLR3636PBF | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | IRLR3636PBF | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
| Pacote / Caso | D-PAK | Quantidade Disponível | 20702 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | D-Pak |
| Série | HEXFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 143W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote | Bulk | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Download | IRLR3636PBF PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
IRLR3636PBF
Introdução
MOSFET de potência N-Channel HEXFET
Marca e Fabricante
International Rectifier, uma empresa da Infineon Technologies
Características
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide), tipo FET N-Channel, montagem em superfície
Desempenho do Produto
Dissipação máxima de potência de 143W a Tc, corrente contínua de dreno de 50A a 25°C Tc, baixo Rds On de 6,8 mOhm a 50A, 10V
Especificações Técnicas
Tensão Dreno-Fonte (Vdss) de 60V, Vgs(th) máximo de 2,5V a 100µA, Carga do Portão (Qg) máximo de 49nC a 4,5V, Capacitância de Entrada (Ciss) máximo de 3779pF a 50V, Tensão de Portão Máximo Rds On de 4,5V, mínimo Rds On de 10V, Vgs (Máx) de ±16V
Dimensões, Forma e Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), embalagem SC-63, embalado em tubo
Qualidade e Confiabilidade
Tecnologia HEXFET robusta e confiável
Vantagens do Produto
Alta capacidade de corrente contínua, dissipação de potência eficiente para gestão térmica, baixa carga de portão para comutação mais rápida
Competitividade do Produto
Excelentes métricas de desempenho em sua classe, bom desempenho térmico com embalagem DPak
Compatibilidade
Compatível com tecnologia de montagem em superfície (TMS)
Certificação e Conformidade com Normas
Conformidade com certificações industriais de padrão e RoHS
Duração e Sustentabilidade
Projetado para longevidade e confiabilidade em várias aplicações
Áreas de Aplicação
Apropriado para aplicações de gestão de energia, como conversores DC/DC, motores de indução e sistemas de potência de alta eficiência
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| Ações IRLR3636PBF | Preço IRLR3636PBF | IRLR3636PBF Electronics | |||
| Componentes IRLR3636PBF | Inventário IRLR3636PBF | IRLR3636PBF Digikey | |||
| Fornecedor IRLR3636PBF | Ordem IRLR3636PBF Online | Inquérito IRLR3636PBF | |||
| Imagem IRLR3636PBF | Imagem IRLR3636PBF | IRLR3636PBF PDF | |||
| Folha de dados IRLR3636PBF | Download da folha de dados IRLR3636PBF | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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