| IRFR3607TRPBF | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IRFR3607TRPBF |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK |
| Quantidade Disponível | 8229 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IRFR3607TRPBF.pdf2.IRFR3607TRPBF.pdf3.IRFR3607TRPBF.pdf4.IRFR3607TRPBF.pdf5.IRFR3607TRPBF.pdf6.IRFR3607TRPBF.pdf |
| IRFR3607TRPBF Price |
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| Informações técnicas da IRFR3607TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | IRFR3607TRPBF | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK |
| Pacote / Caso | D-PAK | Quantidade Disponível | 8229 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | D-Pak |
| Série | HEXFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 140W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
| Número do produto base | IRFR3607 | ||
| Download | IRFR3607TRPBF PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
IRFR3607TRPBF
Introdução
MOSFET N-Channel de alto desempenho
Marca e Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Características
Tecnologia de MOSFET de potência HEXFET, resistência de condução ultra-baixa, desempenho térmico aprimorado, classificação dinâmica dv/dt
Desempenho do Produto
Alta eficiência através de baixa carga de porta, velocidade de comutação rápida, robustas capacidades de gerenciamento térmico
Especificações Técnicas
Tecnologia de FET de Óxido Metálico, tensão de dreno para fonte de 75V, corrente contínua de dreno de 56A, dissipação máxima de potência de 140W
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote de montagem superficial TO-252-3, pacote de dispositivo D-Pak, fornecido em fita e carretel para montagem automatizada
Qualidade e Confiabilidade
Livre de chumbo e em conformidade com a RoHS para consideração ambiental, confiabilidade comprovada do HEXFET, projetado para aplicações comerciais e industriais
Vantagens do Produto
Alta capacidade de manuseio de corrente, adequado para projetos de potência de alta densidade, excelente eficiência de potência
Competitividade do Produto
Vantajoso em aplicações sensíveis à potência, competitivo em conversão de potência de alto desempenho
Compatibilidade
Compatível com montagem superficial, compatível com tensões de acionamento padrão
Certificação e Conformidade com Normas
Conforme RoHS, segue normas e certificações padrão da indústria de semicondutores
Duração e Sustentabilidade
Durável com uma longa vida útil operacional, sustentável ambientalmente com construção livre de chumbo
Áreas de Aplicação
Fontes de alimentação, conversores DC/AC, acionamentos de motores, fontes de alimentação comutadas (SMPS), aplicações automotivas
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| Folha de dados IRFR3607TRPBF | Download da folha de dados IRFR3607TRPBF | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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